產(chǎn)品型號(hào)：STG-100-17-3

爐膛尺寸：Φ100×1500mm

額定溫度：1700℃

控溫精度：±1℃

應(yīng)用領(lǐng)域：三溫區(qū)管式爐應(yīng)用于高等院校、科研院所、工廠(chǎng)企業(yè)、石油化工、航空航天等行業(yè)的金屬材料、陶瓷材料、納米材料、半導(dǎo)體材料、粉末冶金等新材料領(lǐng)域的燒結(jié)和高溫?zé)崽幚怼?/p>

產(chǎn)品型號(hào)：STGL-336-12-3

爐管尺寸：Φ336×1500mm

額定溫度：1200℃

控溫精度：±1℃

應(yīng)用領(lǐng)域：立式管式爐應(yīng)用于高等院校、科研院所、工廠(chǎng)企業(yè)、石油化工、航空航天等行業(yè)的金屬材料、陶瓷材料、納米材料、半導(dǎo)體材料、粉末冶金等新材料領(lǐng)域的燒結(jié)和高溫?zé)崽幚怼?/p>

產(chǎn)品型號(hào)：STGX-60-14

爐管尺寸：Φ60×1000mm

額定溫度：1400℃

控溫精度：±1℃

應(yīng)用領(lǐng)域：用于高等院校、科研院所、工廠(chǎng)企業(yè)等行業(yè)實(shí)驗(yàn)室高溫?zé)崽幚砉に嚕m用于金屬材料、陶瓷材料、納米材料、半導(dǎo)體材料等新材料領(lǐng)域

產(chǎn)品型號(hào)：STGP-80-12

爐膛尺寸：Φ80x1200mm

額定溫度：1200℃

控溫精度：±1℃

應(yīng)用領(lǐng)域：PECVD系統(tǒng)（等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)）由管式爐、真空獲得、流量控制和射頻電源四大模塊組成， 本設(shè)備借助13.56Mhz的射頻輸出使含有薄膜組成原子的氣體電離，在真空腔體內(nèi)形成等離子體，利用等離子的強(qiáng)化學(xué)活性，改善反應(yīng)條件，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)，得到基片上沉積出所期望的薄膜，適用于1200℃條件下進(jìn)行SiO2、SiNx薄膜的沉積。